澎芯半導(dǎo)體POWERSiC Semiconductor
新能源汽車
充電樁
光伏逆變器
儲(chǔ)能系統(tǒng)
澎芯半導(dǎo)體產(chǎn)品主要應(yīng)用于：新能源汽車、充電樁、光伏逆變器、工業(yè)電源、通信電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
典型應(yīng)用
產(chǎn)品中心
澎芯半導(dǎo)體產(chǎn)品主要應(yīng)用于：新能源汽車、充電樁、光伏逆變器、工業(yè)電源、通信電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
關(guān)于公司
—— 紹興澎芯半導(dǎo)體有限公司成立于2020年，公司專注于SiC功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)發(fā)、銷售和技術(shù)服務(wù)，已與國(guó)內(nèi)外多家專業(yè)從事SiC功率器件產(chǎn)業(yè)鏈上下游業(yè)務(wù)的企業(yè)完成深度合作，并且建立了行業(yè)領(lǐng)先的SiC器件仿真設(shè)計(jì)、性能參數(shù)測(cè)試、可靠性測(cè)試和晶圓測(cè)試分析平臺(tái)。
公司核心成員均來(lái)自國(guó)內(nèi)頂尖半導(dǎo)體公司，在傳統(tǒng)Si功率半導(dǎo)體器件研發(fā)和生產(chǎn)工藝領(lǐng)域有著十五年以上的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，在SiC功率半導(dǎo)體研發(fā)也已深耕九年之久，是國(guó)內(nèi)較早從事SiC功率器件研發(fā)和生產(chǎn)的團(tuán)隊(duì)，具有豐富的SiC功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)、晶圓工藝和系統(tǒng)應(yīng)用方面成熟的經(jīng)驗(yàn)。
公司堅(jiān)持以人為本，以科技創(chuàng)新為先導(dǎo)，先后研制開(kāi)發(fā)了兩大系列，共計(jì)20多個(gè)型號(hào)的產(chǎn)品，將竭誠(chéng)向各位客戶提供全方位的SiC功率器件系列化產(chǎn)品及系統(tǒng)應(yīng)用解決方案服務(wù)。
新聞動(dòng)態(tài)—— 定期更新公司新聞和行業(yè)動(dòng)態(tài)
新聞動(dòng)態(tài)
2024-11-01
澎芯半導(dǎo)體1200V Gen-2新產(chǎn)品發(fā)布 澎芯半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品門極驅(qū)動(dòng)電壓推薦Vgs_on為+15V/+18V兼容，2024年Q3月份推出Gen-2代新產(chǎn)品，已經(jīng)過(guò)6個(gè)月全面的可靠性考核，其封裝形式包括TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL、TOLT。經(jīng)過(guò)工藝和設(shè)計(jì)優(yōu)化，Gen-2代比Gen-1代面積減小約25%，將進(jìn)一步提升產(chǎn)品性價(jià)比。新產(chǎn)品比導(dǎo)...
2024-05-16
預(yù)祝第26屆集成電路制造年會(huì)順利召開(kāi) 5月22日，第26屆集成電路制造年會(huì)暨供應(yīng)鏈創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)在廣州開(kāi)幕。大會(huì)以“助力產(chǎn)業(yè)路徑創(chuàng)新 共建自主產(chǎn)業(yè)生態(tài)”為主題，共同探討集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和創(chuàng)新路徑。 澎芯半導(dǎo)體參加會(huì)議，并預(yù)祝會(huì)議順利召開(kāi)！
2024-03-16
澎芯半導(dǎo)體參加2024年第三屆第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì) 半導(dǎo)體在線將于2024年3月28日-29日在蘇州組織召開(kāi)2024年第三屆第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)與市場(chǎng)研討會(huì)，重點(diǎn)探討SiC/GaN襯底、外延、器件設(shè)計(jì)技術(shù)，以及在新能源、軌道交通、電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用！ 屆時(shí)澎芯半導(dǎo)體將與會(huì)分享題為《碳化硅器件考核中的一些問(wèn)題》的報(bào)告，歡迎大家參會(huì)指導(dǎo)與研討！
2024-02-02
定制合作-推出多個(gè)型號(hào)的碳化硅模塊產(chǎn)品模塊產(chǎn)品-合作開(kāi)發(fā)澎芯半導(dǎo)體在SiC SBD和SiC MOSFET系列化量產(chǎn)的基礎(chǔ)上，現(xiàn)已聯(lián)合模塊客戶(模塊封裝廠)和終端使用客戶共同定義開(kāi)發(fā)出多個(gè)型號(hào)的模塊產(chǎn)品，后續(xù)可提供晶圓和客制化模塊兩大類產(chǎn)品，目前已量產(chǎn)出貨的模塊包括以下型號(hào)：系列化-發(fā)展加速提檔 澎芯半導(dǎo)體650V和1200V電壓平臺(tái)的SiC MOSFET產(chǎn)品系列化布局完整，產(chǎn)品涵蓋各個(gè)行...
2024-01-19
澎芯半導(dǎo)體推出650V系列化MOSFET產(chǎn)品 澎芯半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品推出650V系列化產(chǎn)品，包括650V/30mΩ、650V/45mΩ、650V/60mΩ、650V/260mΩ、650V/500mΩ。當(dāng)前產(chǎn)品平臺(tái)，門極驅(qū)動(dòng)電壓推薦Vgs_on為+15V/+18V兼容，封裝形式包括四種：TO-263-7、TO-247-4、TO-247-3等。 此產(chǎn)品晶圓流...
2023-12-22
澎芯半導(dǎo)體推出1200V/320mΩ MOSFET產(chǎn)品 澎芯半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品門極驅(qū)動(dòng)電壓推薦Vgs_on為+15V/+18V兼容，封裝形式包括四種：TO-252、TO-263-7、TOLL、DFN8*8。 此產(chǎn)品晶圓流片和封裝測(cè)試均由車規(guī)級(jí)制造平臺(tái)完成，目前此平臺(tái)產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)工控級(jí)可靠性認(rèn)證及AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證，晶圓產(chǎn)出良率＞96%
2023-12-19
車規(guī)級(jí)新品-1200V/15mΩ，產(chǎn)品系列化提檔加速車規(guī)新品-性能優(yōu)異 12月12日上午，澎芯半導(dǎo)體1200V電壓平臺(tái)迎來(lái)新的成員-1200V/15mΩ的SiC MOSFET產(chǎn)品。此產(chǎn)品由澎芯半導(dǎo)體自主設(shè)計(jì)研發(fā)，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，并且聯(lián)手國(guó)內(nèi)標(biāo)桿SiC晶圓廠制造完成，產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)性能指標(biāo)表現(xiàn)非常優(yōu)異，試產(chǎn)良率達(dá)到75%。 模塊產(chǎn)品-合作開(kāi)發(fā)據(jù)悉，澎芯半導(dǎo)體在前期工程批已完成各項(xiàng)性能指標(biāo)...
2023-10-23
澎芯半導(dǎo)體誠(chéng)邀您參加廣州國(guó)際汽車技術(shù)展覽會(huì)-展位號(hào)B165
2023-10-20
澎芯半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品門極驅(qū)動(dòng)電壓推薦Vgs_on為+15V/+18V兼容，封裝形式包括四種：TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL。 此產(chǎn)品晶圓流片和封裝測(cè)試均由車規(guī)級(jí)制造平臺(tái)完成，目前已經(jīng)通過(guò)工控級(jí)可靠性認(rèn)證及AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證。 ...
2023-09-06
并且科技創(chuàng)新周期和國(guó)產(chǎn)化周期為半導(dǎo)體帶來(lái)新的增長(zhǎng)極，“中國(guó)芯”崛起已勢(shì)不可擋！(本文僅為部分"2023硬核中國(guó)芯"參評(píng)企業(yè)，排序不分先后，后續(xù)更新請(qǐng)持續(xù)關(guān)注)紹興澎芯半導(dǎo)體有限公司澎芯半導(dǎo)體是一家專注于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的設(shè)計(jì)公司，已與國(guó)內(nèi)外多家專業(yè)從事SiC功率器件業(yè)務(wù)的企業(yè)合作完成晶圓制造、芯片封裝等。
2023-09-01
誠(chéng)邀蒞臨第24屆光博會(huì)(深圳國(guó)際會(huì)展中心)-澎芯半導(dǎo)體展位4A108展會(huì)時(shí)間：2023年9月6-8日
2023-07-16
本屆慕尼黑電子展以“融合創(chuàng)新智引未來(lái)”為主題，聚焦新能源汽車、綠色能源、智能網(wǎng)聯(lián)生態(tài)等，參展企業(yè)超過(guò)1600家，呈現(xiàn)出眾多新產(chǎn)品、新技術(shù)、新生態(tài)，澎芯半導(dǎo)體聚焦碳化硅功率半導(dǎo)體器件，本屆展會(huì)帶來(lái)了工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)的核心功率轉(zhuǎn)換器件，全面展示了澎芯半導(dǎo)體領(lǐng)先的產(chǎn)品技術(shù)和典型應(yīng)用案例，展會(huì)期間受到了眾多參展觀眾的青睞，紛紛駐足觀瞻和交流洽談，現(xiàn)場(chǎng)熱度爆棚，人流涌動(dòng)。
2023-07-10
澎芯半導(dǎo)體誠(chéng)邀您參加上海慕尼黑電子展-展位號(hào)：7.2F625
2023-07-06
澎芯半導(dǎo)體加大投入！持續(xù)提升SiC MOS產(chǎn)品的可靠性測(cè)試能力來(lái)源:芯師爺 澎芯半導(dǎo)體致力于碳化硅(SiC)器件的參數(shù)特性和可靠性研究，不斷加大公司研發(fā)端的器件測(cè)試中心和可靠性試驗(yàn)中心的設(shè)備投入，以及研發(fā)隊(duì)伍的建設(shè)，既為公司產(chǎn)品在各個(gè)領(lǐng)域的系統(tǒng)方案中的可靠性保駕護(hù)航，又為公司產(chǎn)品在同行業(yè)中的參數(shù)性能領(lǐng)先性精準(zhǔn)助力，同時(shí)能提供對(duì)顧客響應(yīng)及時(shí)的技術(shù)支持服務(wù)與提升顧客滿意度。SiC MOS器件分選...
2023-05-31
澎芯半導(dǎo)體推出性能領(lǐng)先的SiC MOS產(chǎn)品，將通過(guò)車規(guī)級(jí)認(rèn)證，經(jīng)過(guò)6個(gè)月以上的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)流程和可靠性考核，新推出性能參數(shù)優(yōu)異，可靠性高的1200V 40mΩ的 SiC MOSFET產(chǎn)品。據(jù)介紹，這款SiC MOSFET產(chǎn)品的晶圓流片和封裝測(cè)試
2023-05-26
澎芯半導(dǎo)體SiC MOSFET 1200V車規(guī)級(jí)平臺(tái)推出新產(chǎn)品 澎芯半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品門極驅(qū)動(dòng)電壓推薦Vgs_on為+15V/+18V兼容，封裝形式包括TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL，經(jīng)過(guò)6個(gè)月全面的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)和可靠性考核，新推出1200V 40mΩ的 SiC MOSFET產(chǎn)品，使得1200V電壓平臺(tái)的產(chǎn)品更加完善，此平臺(tái)目前已量產(chǎn)的型號(hào)包...
2023-05-10
澎芯半導(dǎo)體SiC SBD產(chǎn)品系列化布局優(yōu)勢(shì) SiC二極管已經(jīng)大量運(yùn)用于商業(yè)化電源，澎芯半導(dǎo)體在器件設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)、晶圓制造、封裝測(cè)試、可靠性驗(yàn)證等方面有一套完整的解決方案，目前已經(jīng)規(guī)模化應(yīng)用在包括光伏逆變器、充電樁、通訊電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)等工控領(lǐng)域。深度優(yōu)化的器件設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，改善肖特基結(jié)的大漏電及低應(yīng)用電壓?jiǎn)栴}，降低了器件的關(guān)態(tài)耗散功率；采用特殊減薄工藝及歐姆接觸工藝，降低器件導(dǎo)通電阻，有效提...
2023-03-03
深圳分公司成立-更加貼近客戶過(guò)去的一年在公司所有員工的共同努力下，在合作伙伴的支持與幫助下，澎芯半導(dǎo)體不斷地取得突破，2023年03月澎芯半導(dǎo)體-深圳分公司正式設(shè)立。澎芯半導(dǎo)體始終追求“精益創(chuàng)新，顧客至上”，堅(jiān)持以客戶需求為創(chuàng)新導(dǎo)向，以質(zhì)量求生存的經(jīng)營(yíng)宗旨，已逐步形成自主的核心技術(shù)創(chuàng)新體系。 深圳分公司的團(tuán)隊(duì)將以更積極地工作態(tài)度與更貼近客戶的服務(wù)意識(shí)，攜手客戶共同創(chuàng)造美好的未來(lái)!
2023-03-01
在新能源快速發(fā)展的背景下，澎芯半導(dǎo)體將積極地研究新產(chǎn)品與新技術(shù)，并且進(jìn)一步協(xié)同供應(yīng)商加大擴(kuò)產(chǎn)力度，持續(xù)地提升公司的產(chǎn)品技術(shù)的領(lǐng)先性與供貨能力。
根據(jù)澎芯半導(dǎo)體的SiC MOSFET產(chǎn)品技術(shù)路徑和發(fā)展規(guī)劃，計(jì)劃2023年Q2推出車規(guī)高功率芯片試生產(chǎn)(包括1200V 16mΩ/40mΩ)，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)品“上車”
根據(jù)澎芯半導(dǎo)體的SiC MOSFET產(chǎn)品技術(shù)路徑和發(fā)展規(guī)劃，計(jì)劃2023年Q2推出車規(guī)高功率芯片試生產(chǎn)(包括1200V 16mΩ/40mΩ)，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)品“上車”
2022-11-25
始終選擇：保持與市場(chǎng)同呼吸和心連心澎芯半導(dǎo)體系列化的 SiC MOSFET和SiC SBD產(chǎn)品，分別搭載在客戶終端不同場(chǎng)景(包括通信電源模塊、充電樁、OBC、DC\DC等)，非常出色的呈現(xiàn)SiC產(chǎn)品在高頻率和高效率方面的性能優(yōu)勢(shì)，得到客戶的高度認(rèn)可。目前批量化產(chǎn)品在終端的主要應(yīng)用情況：1、 充電樁設(shè)備參數(shù)：功率30kW，輸出電壓：200～1000Vdc，輸出電流：100Amax，效率...
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